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東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
轉載 :  zaoche168.com   2023年06月13日

       中國上海,2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。

       通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%,漏源導通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質因數)降低了約52%。這有助于確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低,并最終實現了開關電源效率的提高。

       該新產品采用TOLL封裝,柵極驅動采用開爾文連接??梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響,增強MOSFET的高速開關性能,從而抑制開關過程中的振蕩。

       未來,東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線,以及已發布的650V DTMOSVI系列產品,并通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。

圖1:漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較

應用
       -  數據中心(服務器開關電源等)
       -光伏發電機功率調節器
       - 不間斷電源系統

特性
       - 低漏源導通電阻×柵漏電荷,有助于提高開關電源的效率

主要規格

(除非另有說明,Ta25

器件型號

TK055U60Z1

絕對最大

漏極-源極電壓VDSSV

600

漏極電流(DCIDA

40

結溫Tch

150

電氣特性

漏極-源極導通電阻

RDS(ON)

VGS10V

最大值

55

總柵極電荷QgnC

典型值

65

柵極-漏極電荷QgdnC

典型值

15

輸入電容CisspF

典型值

3680

名稱

TOLL

尺寸(mm

典型值

9.9×11.68

厚度2.3

注:
 [1] 截至2023年6月

如需了解有關該新產品的更多信息,請訪問以下網址:
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html

如需了解東芝MOSFET產品的更多信息,請訪問以下網址:
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如需了解有關該新產品在線分銷商網站的供貨情況,請訪問以下網址:
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TK055U60Z1.html

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